SJ 50033/83-1995 半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范
作者:标准资料网 时间:2024-05-06 07:06:55 浏览:9539
来源:标准资料网
基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor |
| 中标分类： |
通信、广播 >>
通信、广播综合 >>
技术管理 |
| 发布日期： | 1995-05-25 |
| 实施日期： | 1995-12-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
没有内容
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 通信 广播 通信 广播综合 技术管理
【英文标准名称】:Guidancetoreliability;electroniccomponents,lotbylotandperiodicinspectionprocedures
【原文标准名称】:可靠性指南.第11部分:电子元件、逐批检验和周期检验程序
【标准号】:DIN40081-11-1976
【标准状态】:现行
【国别】:德国
【发布日期】:1976-11
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:元部件;试验;定义;电子工程;电气工程;可靠度;电子学;结构
【英文主题词】:Components;Definition;Definitions;Electricalengineering;Electronicengineering;Electronicequipmentandcomponents;Guidebooks;Reliability;Specifications;Structures;Testing
【摘要】:Guidancetoreliability;electroniccomponents;lot-by-lotandperiodicinspectionproceduresDieseNormstimmtmitdervonderInternationalElectrotechnicalCommission(IEC)herausgegebenenPublikation419?Guidefortheinclusionoflot-by-lotandperi
【中国标准分类号】:L05
【国际标准分类号】:31_020
【页数】:3P;A4
【正文语种】:德语
基本信息
| 标准名称： | 电力系统安全稳定导则 |
| 英文名称： | Guide on security and stability for power system |
| 中标分类： |
能源、核技术 >>
电力 >>
电力系统 |
| 替代情况： | 原电力部81年颁发导则 |
| 发布日期： | 2001-04-28 |
| 实施日期： | 2001-07-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 出版社： | 中国电力出版社 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 13页 |
适用范围
本导则规定了保证电力系统安全稳定运行的基本要求，电力系统安全稳定标准以及系统安全稳定计算方法，电网经营企业，电网调度机构，电力生产企业，电力供应企业，电力建设企业，电力规划和勘测、设计、科研等单位，均应遵守和执行本导则。本导则适用于电压等级为220kV及以上的电力系统。220kV以下的电力系统可参照执行。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类： 能源 核技术 电力 电力系统
